外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压
U
BE 维持不同的定值时，
U
BE和
I
B之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。输入特性曲线的数学表达式为：
I
B＝
f（
U
BE）|
U
BE = 常数
GS0120
由图
Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：
（1）
U
BE = 0的一条曲线与的正向特性相似。这是因为
U
CE = 0时，集电极与发射极短路，相当于两个二极管并联，这样
I
B与
U
CE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
（2）
U
CE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移，而且当
U
CE的数值增至较大时（如
U
CE＞1V），各曲线几乎重合。这是因为
U
CE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大，基区宽度相应地减小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小，复合减小，因而
I
B减小。如保持
I
B为定值，就必须加大
U
BE ，故使曲线右移。当
U
CE 较大时（如
U
CE ＞1V），集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去，以致
U
CE再增加，
I
B 也不再明显地减小，这样，就形成了各曲线几乎重合的现象。
（3）和二极管一样，三极管也有一个门限电压Vγ，通常硅管约为0.5～0.6V，锗管约为0.1～0.2V。
二、输出特性曲线
输出特性曲线如图
Z0120所示。测试电路如图Z0117。
输出特性曲线的数学表达式为：
由图还可以看出，输出特性曲线可分为三个区域：
（1）截止区：指
I
B=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用，集电极只有微小的穿透电流
IcEO。
（2）饱和区：指绿色区域。在此区域内，对应不同
IB值的输出特性曲线簇几乎重合在一起。也就是说，
U
CE较小时，
I
c虽然增加，但
Ic增加不大，即
I
B失去了对
I
c的控制能力。这种情况，称为三极管的饱和。饱和时，三极管的发射给和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集一射饱和压降，用
U
CES表示。
U
CES很小，通常中小功率硅管
U
CES＜0.5V；三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降，以
U
CES表示，硅管的
U
CES在0．8V左右。
OA线称为临界饱和线（绿色区域右边缘线），在此曲线上的每一点应有
|
U
CE| = |
U
BE|。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管，其集电极电流称为临界集电极电流，以
I
cs表示；其基极电流称为临界基极电流，以
I
BS表示。这时
I
cs与
I
BS 的关系仍然成立。
（3）放大区：在截止区以上，介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内，特性曲线近似于一簇平行等距的水平线，
Ic的变化量与
IB的变量基本保持线性关系，即
ΔI
c
=βΔI
B，且Δ
I
c >>Δ
I
B ，就是说在此区域内，三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱，当
U
CE＞1 V后，即使再增加
U
CE，
I
c 几乎不再增加，此时，若
I
B 不变，则三极管可以看成是一个恒流源。
在放大区，三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状态。, 外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压
U
BE 维持不同的定值时，
U
BE和
I
B之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。输入特性曲线的数学表达式为：
I
B＝
f（
U
BE）|
U
BE = 常数
GS0120
由图
Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：
（1）
U
BE = 0的一条曲线与的正向特性相似。这是因为
U
CE = 0时，集电极与发射极短路，相当于两个二极管并联，这样
I
B与
U
CE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
（2）
U
CE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移，而且当
U
CE的数值增至较大时（如
U
CE＞1V），各曲线几乎重合。这是因为
U
CE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大，基区宽度相应地减小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小，复合减小，因而
I
B减小。如保持
I
B为定值，就必须加大
U
BE ，故使曲线右移。当
U
CE 较大时（如
U
CE ＞1V），集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去，以致
U
CE再增加，
I
B 也不再明显地减小，这样，就形成了各曲线几乎重合的现象。
（3）和二极管一样，三极管也有一个门限电压Vγ，通常硅管约为0.5～0.6V，锗管约为0.1～0.2V。
二、输出特性曲线
输出特性曲线如图
Z0120所示。测试电路如图Z0117。
输出特性曲线的数学表达式为：
由图还可以看出，输出特性曲线可分为三个区域：
（1）截止区：指
I
B=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用，集电极只有微小的穿透电流
IcEO。
（2）饱和区：指绿色区域。在此区域内，对应不同
IB值的输出特性曲线簇几乎重合在一起。也就是说，
U
CE较小时，
I
c虽然增加，但
Ic增加不大，即
I
B失去了对
I
c的控制能力。这种情况，称为三极管的饱和。饱和时，三极管的发射给和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集一射饱和压降，用
U
CES表示。
U
CES很小，通常中小功率硅管
U
CES＜0.5V；三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降，以
U
CES表示，硅管的
U
CES在0．8V左右。
OA线称为临界饱和线（绿色区域右边缘线），在此曲线上的每一点应有
|
U
CE| = |
U
BE|。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管，其集电极电流称为临界集电极电流，以
I
cs表示；其基极电流称为临界基极电流，以
I
BS表示。这时
I
cs与
I
BS 的关系仍然成立。
（3）放大区：在截止区以上，介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内，特性曲线近似于一簇平行等距的水平线，
Ic的变化量与
IB的变量基本保持线性关系，即
ΔI
c
=βΔI
B，且Δ
I
c >>Δ
I
B ，就是说在此区域内，三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱，当
U
CE＞1 V后，即使再增加
U
CE，
I
c 几乎不再增加，此时，若
I
B 不变，则三极管可以看成是一个恒流源。
在放大区，三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状态。
三极管的特性曲线
