MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样－保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。
| 所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的 模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道 增强型 MOSFET并联而成，如图1(a)所示。图1(b)是它的的逻辑符号。TP和TN是结构对称 的器件，它们的漏极和源极可以互换。设它们 的开启电压|VT|=2V，且输入模拟信号的变化范 围为－5V到＋5V。为使衬底与漏源极之间的PN结 任何时刻都不致正偏，故TP的衬底接＋5V电压， 而TN的衬底接－5V电压。两管的栅极由互补的信 号电压（＋5V和－5V）来控制，分别用C和C表 示。 | ||
(a)电路 |
(b)逻辑符号 | |
| 图1 CMOS传输门 | ||
传输门的工作情况如下：当C端接低电压－5V时，TN的栅压即为－5V，vI取－5V到＋5V范围的任意值时，TN均不导通。同时，TP的栅压为＋5V，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。
为使开关接通，可将C端接高电压＋5V。此时TN的栅压为＋5V，vI在－5V到＋3V的范围内，TN导通。同时，TP的栅压为－5V，vI在－3V到＋5V的范围内，TP将导通。
由上分析可知，当vI＜－3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V,仅有TP导通。当vI在－3V到＋3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数，这是CMOS传输门的优点。
在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。
CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。
, MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样－保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。
| 所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的 模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道 增强型 MOSFET并联而成，如图1(a)所示。图1(b)是它的的逻辑符号。TP和TN是结构对称 的器件，它们的漏极和源极可以互换。设它们 的开启电压|VT|=2V，且输入模拟信号的变化范 围为－5V到＋5V。为使衬底与漏源极之间的PN结 任何时刻都不致正偏，故TP的衬底接＋5V电压， 而TN的衬底接－5V电压。两管的栅极由互补的信 号电压（＋5V和－5V）来控制，分别用C和C表 示。 | ||
(a)电路 |
(b)逻辑符号 | |
| 图1 CMOS传输门 | ||
传输门的工作情况如下：当C端接低电压－5V时，TN的栅压即为－5V，vI取－5V到＋5V范围的任意值时，TN均不导通。同时，TP的栅压为＋5V，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。
为使开关接通，可将C端接高电压＋5V。此时TN的栅压为＋5V，vI在－5V到＋3V的范围内，TN导通。同时，TP的栅压为－5V，vI在－3V到＋5V的范围内，TP将导通。
由上分析可知，当vI＜－3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V,仅有TP导通。当vI在－3V到＋3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数，这是CMOS传输门的优点。
在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。
CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。
