N沟道增强型MOSFET

1、结构和符号

栅极与其他两个电极是相互绝缘的

间断线表示栅源电压v_GS=0时，

FET内部不存在导电沟道

箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)

2、工作原理

（1）栅源电压V_{GS的控制作用}

1）当V_{GS=0时：漏源间没有导电的沟道，i_D=0}

S、D之间相当于两个背靠背的，故不管V_{DS极性如何，总有一个二极管是反偏的，无电流流过。}

2）当v_{GS >0时，产生电场，排斥空穴，吸引，电子与空穴相复合形成耗尽层。}

3）当v_{GS 增大到某一个值（开启电压V_{T）时，电场吸引更多电子到衬底表面，形成N型导电薄层，称为反型层。即v_{GS=V_{T时，导电沟道开始形成。}}}}

4）v_{GS > V_{T 后：v_{GS ↑→沟道厚度 ↑→沟道电阻↓→I_{D↑, 实现了电压控制电流。}}}}

这种在V_{GS=0时没有导电沟道，只有当V_{GS＞V_{T后才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。}}}

（2） v_{DS对 i_D的影响}

设v_{GS>V_{T 且为一常数}}

电位 S ← D S ← D

低←高宽 ←窄

VDS = VGS- VT

有导电沟道的条件

v_{GD= v_{GS-v_{DS > V_T}}}

v_{DS< v_{GS- V_T}}

v_{DS↑→r_{DS↑(慢)→i_D↑}}

当VDS继续增加，满足

VGD= VGS-VDS =VT时，漏端导

电沟道开始夹断，称为预夹断。

VD_{S = V_{GS- V_{T .预夹断后，i_{D几乎不变}}}}

3、特性曲线

（1）输出特性

VGS < VＴ全夹断状态

( 2 ) 转移特性