1. 输出特性曲线
恒流区：(又称饱和区或放大区）
特点: (1)受控性：输入电压vGS控制输出电流iD。
(2)恒流性：输出电流iD 基本不受输出电压vDS的影响。
用途: 可做放大器和恒流源
条件: (1)源端沟道未夹断
(2)漏端沟道予夹断
可变电阻区：
特点:（1）当vGS 为定值时, iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，其阻值受 vGS 控制。
（2）管压降vDS 很小。
用途：做压控线性电阻和无触点的、接通状态的开关。
条件：源端与漏端沟道都不夹断
夹断区：
特点：
用途：做无触点的、断开状态的电子开关。
条件：整个沟道都夹断
击穿区：
当漏源电压增大 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20~ 50）V之间。管子不能在击穿区工作。
2. 转移特性
输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制
可在曲线上求gm ：
结型场效应管的特性小结
3. 主要参数
① 夹断电压VP (或VGS(off))：漏极电流约为零时的VGS值 。
② 饱和漏极电流IDSS：当VGS=0，VDS> |VP|时对应的漏极电流。
③ 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。
或
④直流输入电阻RGS：在漏源间短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的栅源直流电阻。在手册上又称栅源绝缘电阻。
⑤输出电阻rd： 反映了漏源电压对漏极电流的影响。 iD随vDS改变很小，所以rd的数值很大，在几十千欧到几百千欧之间。
⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ：栅漏间PN结发生雪崩击穿，iD开始急剧上升时的vDS值。
⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ：栅源间PN结的反向电流开始急剧增加时的vGS值。
⑧ 最大耗散功耗PDM ：PDM＝vDSiD
金属－氧化物－半导体场效应管
金属－氧化物－半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET) ——MOSFET，又称绝缘栅场效应管，简称MOS管。
分为： 增强型 ® N沟道、P沟道
耗尽型 ® N沟道、P沟道
耗尽型: VGS=0时，存在导电沟道，
增强型: VGS=0时，存在导电沟道
,1. 输出特性曲线
恒流区：(又称饱和区或放大区）
特点: (1)受控性：输入电压vGS控制输出电流iD。
(2)恒流性：输出电流iD 基本不受输出电压vDS的影响。
用途: 可做放大器和恒流源
条件: (1)源端沟道未夹断
(2)漏端沟道予夹断
可变电阻区：
特点:（1）当vGS 为定值时, iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，其阻值受 vGS 控制。
（2）管压降vDS 很小。
用途：做压控线性电阻和无触点的、接通状态的开关。
条件：源端与漏端沟道都不夹断
夹断区：
特点：
用途：做无触点的、断开状态的电子开关。
条件：整个沟道都夹断
击穿区：
当漏源电压增大 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20~ 50）V之间。管子不能在击穿区工作。
2. 转移特性
输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制
可在曲线上求gm ：
结型场效应管的特性小结
3. 主要参数
① 夹断电压VP (或VGS(off))：漏极电流约为零时的VGS值 。
② 饱和漏极电流IDSS：当VGS=0，VDS> |VP|时对应的漏极电流。
③ 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。
或
④直流输入电阻RGS：在漏源间短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的栅源直流电阻。在手册上又称栅源绝缘电阻。
⑤输出电阻rd： 反映了漏源电压对漏极电流的影响。 iD随vDS改变很小，所以rd的数值很大，在几十千欧到几百千欧之间。
⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ：栅漏间PN结发生雪崩击穿，iD开始急剧上升时的vDS值。
⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ：栅源间PN结的反向电流开始急剧增加时的vGS值。
⑧ 最大耗散功耗PDM ：PDM＝vDSiD
金属－氧化物－半导体场效应管
金属－氧化物－半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET) ——MOSFET，又称绝缘栅场效应管，简称MOS管。
分为： 增强型 ® N沟道、P沟道
耗尽型 ® N沟道、P沟道
耗尽型: VGS=0时，存在导电沟道，
增强型: VGS=0时，存在导电沟道
