半导体三极管的参数

    半导体的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。
    1.共发射极直流电流放大系数
           ＝（I_C－I_CEO）/I_{B ≈ IC / IB|vCE＝const}

    在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(v_{CE＝const)来求取IC/IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图2。}

    2.集电极－基极间反向饱和电流I_CBO
    I_{CBO的下标CB代表集电极和基极，O 是Open的字头，代表第三个电极 E 开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
    2.集电极－发射极间的反向饱和电流ICEO
    ICEO和ICBO有如下关系
             ICEO＝（1＋）ICBO
    相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。}

    3.共发射极交流电流放大系数β
                    b  ＝DI_{C/DIB½
    在放大区，b 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b 。具体方法如图4所示。}

    4、 集电极最大允许电流I_CM
    如图2所示，当集电极电流增加时，b 就要下降，当b  值下降到线性放大区b  值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流I_{CM。至于b  值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。
  5、 集电极最大允许功率损耗PCM
    集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM＝ ICVCB≈ ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
  6、 反向击穿电压
    反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。}

       
1. V_(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O 代表第三个电极 E 开路。

   
2. V_(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。

   
3. V_(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。

    对于
V
_{(BR)CER表示 BE 间接有电阻，V(BR)CES表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
                    V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
    由最大集电极功率损耗 PCM、ICM 和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。}

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    半导体的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。
    1.共发射极直流电流放大系数
           ＝（I_C－I_CEO）/I_{B ≈ IC / IB|vCE＝const}

    在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(v_{CE＝const)来求取IC/IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图2。}

    2.集电极－基极间反向饱和电流I_CBO
    I_{CBO的下标CB代表集电极和基极，O 是Open的字头，代表第三个电极 E 开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
    2.集电极－发射极间的反向饱和电流ICEO
    ICEO和ICBO有如下关系
             ICEO＝（1＋）ICBO
    相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。}

    3.共发射极交流电流放大系数β
                    b  ＝DI_{C/DIB½
    在放大区，b 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b 。具体方法如图4所示。}

    4、 集电极最大允许电流I_CM
    如图2所示，当集电极电流增加时，b 就要下降，当b  值下降到线性放大区b  值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流I_{CM。至于b  值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。
  5、 集电极最大允许功率损耗PCM
    集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM＝ ICVCB≈ ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
  6、 反向击穿电压
    反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。}

       
1. V_(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O 代表第三个电极 E 开路。

   
2. V_(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。

   
3. V_(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。

    对于
V
_{(BR)CER表示 BE 间接有电阻，V(BR)CES表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
                    V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
    由最大集电极功率损耗 PCM、ICM 和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。}