BJT的H参数确定

由于BJT本身参数具分散性且会随Q点变化而改变，因此在应用H参数等效电路来分析放大电路时，首先必须得到BJT在Q点处的H参数。

获得H参数的方法:

1、可采用H参数测试仪，或利用BJT特性图示仪测量b和r_be。

2、也可以借助公式进行估算r_be：

r_{be= rb+（1+b）re     （1）}

式中r_{b为基区体电阻，对于低频小功率管，rb约为200W 左右。re为发射结电阻。（1+b）re是re折算到基极回路的等效电阻，根据PN结的V–I 特性表达式，可以导出re的值为VT（mV）/IE（mA）。这样，式（1）可改写为}

     （2）

式中V_{T为温度的电压当量，在室温（300K）时，其值为26mV。应当注意的是，式（2）的适用范围为0.1mA<IE<5mA，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。}

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由于BJT本身参数具分散性且会随Q点变化而改变，因此在应用H参数等效电路来分析放大电路时，首先必须得到BJT在Q点处的H参数。

获得H参数的方法:

1、可采用H参数测试仪，或利用BJT特性图示仪测量b和r_be。

2、也可以借助公式进行估算r_be：

r_{be= rb+（1+b）re     （1）}

式中r_{b为基区体电阻，对于低频小功率管，rb约为200W 左右。re为发射结电阻。（1+b）re是re折算到基极回路的等效电阻，根据PN结的V–I 特性表达式，可以导出re的值为VT（mV）/IE（mA）。这样，式（1）可改写为}

     （2）

式中V_{T为温度的电压当量，在室温（300K）时，其值为26mV。应当注意的是，式（2）的适用范围为0.1mA<IE<5mA，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。}