半导体的V–I 特性如图所示。下面对V–I 特性分三部分加以说明。
二极管的V–I 特性曲线
1．正向特性
正向特性表现为图中的①段。此时正向电压较小，正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压（该电压硅管约为0.5V，锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时，内电场削弱，电流因而迅速增长，呈现出很小的正向电阻。
2．反向特性
反向特性表现为如图中的②段。由于是少数载流子形成的反向饱和电流，所以其数值很小。但温度对它影响很大，当温度升高时，反向电流将随之增加。
3．反向击穿特性
反向击穿特性对应于图中③段，当反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加，二极管被反向击穿。其原因和PN击穿相同。
