在硅或锗的晶体中掺入五价元素杂质而形成的杂质半导体，称为N型半导体。
在N型半导体中多数载流子是（由掺杂产生），空穴为少数载流子（由本征激发产生）。
在硅或锗的晶体中掺入五价元素，它的五个价电子中有四个与周围的硅原子结成共价键后，多出一个价电子。在室温下，原子对于这个多余的价电子束缚力较弱，它很容易被激发而成为自由电子。这样，杂质原子就变成带正电荷的离子。由于杂质原子可以提供电子，故称为施主原子。这种杂质半导体中自由电子的浓度远远大于同一温度下本征半导体中自由电子的浓度，这就大大增强了半导体的导电能力。
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在硅或锗的晶体中掺入五价元素杂质而形成的杂质半导体，称为N型半导体。
在N型半导体中多数载流子是（由掺杂产生），空穴为少数载流子（由本征激发产生）。
在硅或锗的晶体中掺入五价元素，它的五个价电子中有四个与周围的硅原子结成共价键后，多出一个价电子。在室温下，原子对于这个多余的价电子束缚力较弱，它很容易被激发而成为自由电子。这样，杂质原子就变成带正电荷的离子。由于杂质原子可以提供电子，故称为施主原子。这种杂质半导体中自由电子的浓度远远大于同一温度下本征半导体中自由电子的浓度，这就大大增强了半导体的导电能力。
