P型杂质半导体中的载流子

P型杂质半导体中的载流子

在硅(或锗)的晶体内掺入三价元素杂质而形成的杂质半导体,称为P型半导体

在P型半导体中多数载流子是空穴(由掺杂产生),为少数载流子(由本征激发产生)

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在硅(或锗)的晶体内掺入三价元素杂质而形成的杂质半导体,称为P型半导体

在P型半导体中多数载流子是空穴(由掺杂产生),为少数载流子(由本征激发产生)

在硅(或锗)的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼(或铟)等,因硼原子只有三个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下获得能量时,就有可能填补这个空位,使硼原子成为不能移动的负离子,而原来硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,硼原子接受电子,称硼为受主,如图所示。

P型杂质半导体中的载流子

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