(1)接近又称无触点接近传感器，是理想的开关量传感器。
(2)当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为U=K.I.B/d，其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦兹力Lorrentz）的磁感应强度，d为薄片的厚度。
(3)霍尔开关也称接近开关，就属于这种有源磁电转换器件，它是在霍尔效应原理的基础上，利用集成封装和组装工艺制作而成，它可方便地把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。
(4)霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的，当B值达到一定的程度（如B1）时，霍尔开关内部的触发器翻转，霍尔开关的输出电平状态也随
之翻转，使电路状态发生改变。
如图所示即为接近开关。
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(1)接近又称无触点接近传感器，是理想的开关量传感器。
(2)当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为U=K.I.B/d，其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦兹力Lorrentz）的磁感应强度，d为薄片的厚度。
(3)霍尔开关也称接近开关，就属于这种有源磁电转换器件，它是在霍尔效应原理的基础上，利用集成封装和组装工艺制作而成，它可方便地把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。
(4)霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的，当B值达到一定的程度（如B1）时，霍尔开关内部的触发器翻转，霍尔开关的输出电平状态也随
之翻转，使电路状态发生改变。
如图所示即为接近开关。
