多断口高压断口上并联均压后，虽然解决了断口的均压问题，但新的问题又出现了。在运行操作中，即便是各串联触头均已断开，电路仍可通过各串联着的均压电容而连通着，均压电容c仍投入系统运行着。由于母线上带有中性点直接的电压，有可能导致L与c的串联基波谐振，从而引起过电压，其幅值最高可达2倍额定相电压。因此，对于均压电容也有一定的要求。
(1)要做到电压完全均匀分配，必须装设电容量很大的均压电容，但均压电容过大时很不经济。一般按照断口间的最大电压不超过均匀分布电压值10%的要求选择均压电容，即：不均匀系数为
一般在1000～2000pF之间选择其电容量。
(2)绝缘电阻应大于1000MΩ。
(3)绝缘介质损失因数tanδ应不大于1%（制造厂家标准为0.4%，20℃）。
(4)绝缘水平应与断路器断口间的耐压水平相同。
(5)耐压试验后应进行局部放电试验：在1.1倍额定电压下应小于100pC；在1.1倍额定相电压下应小于10pC。
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多断口高压断口上并联均压后，虽然解决了断口的均压问题，但新的问题又出现了。在运行操作中，即便是各串联触头均已断开，电路仍可通过各串联着的均压电容而连通着，均压电容c仍投入系统运行着。由于母线上带有中性点直接的电压，有可能导致L与c的串联基波谐振，从而引起过电压，其幅值最高可达2倍额定相电压。因此，对于均压电容也有一定的要求。
(1)要做到电压完全均匀分配，必须装设电容量很大的均压电容，但均压电容过大时很不经济。一般按照断口间的最大电压不超过均匀分布电压值10%的要求选择均压电容，即：不均匀系数为
一般在1000～2000pF之间选择其电容量。
(2)绝缘电阻应大于1000MΩ。
(3)绝缘介质损失因数tanδ应不大于1%（制造厂家标准为0.4%，20℃）。
(4)绝缘水平应与断路器断口间的耐压水平相同。
(5)耐压试验后应进行局部放电试验：在1.1倍额定电压下应小于100pC；在1.1倍额定相电压下应小于10pC。
