以TC58NVG2S3ETA00为例：
下面是它的一些物理参数：
图一
图二
图三
图四
图五
图6-0
图6-1
说明一下，在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局，其中Data区域用于存放有效的数据，也就是我们可以通过类似read、write、pread、pwrite可以访问的区域，那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的，他们会自动跳过OOB区域，访问OOB区域需要借助特殊的命令。
简单说明一下：Data A(512B)对应的ECC校验码存放在ECC for Data A(4 byte)中，OOB A （8byte) 对应的ECC校验码存放在紧接着的下一个ECC for Data A（4 byte)中，虽然用4字节存放ECC，但是对于本例，ECC只占3个字节。在实际使用中如果解决方案中用不到OOB A/B/C/D，可以不用管他们对应的ECC，只需要关心Data区域对应的ECC。如果使能了硬件ECC，硬件会自动把计算生成的ECC写到OOB中。可以参考 。
读NandFlash需要按页读，即一次读一页；写NandFlash需要按页写，即每次写一页；擦除NandFlash需要按块擦，即每次要擦除一块。
我们可以参考mtd-utils中工具的实现，从而完成在自己的应用程序中实现对NandFlash的操作。常用的命令如下：
#define MEMGETINFO _IOR(‘M’, 1, struct mtd_info_user) #define MEMERASE _IOW(‘M’, 2, struct erase_info_user)#define MEMWRITEOOB _IOWR(‘M’, 3, struct mtd_oob_buf)#define MEMREADOOB _IOWR(‘M’, 4, struct mtd_oob_buf)#define MEMLOCK _IOW(‘M’, 5, struct erase_info_user)#define MEMUNLOCK _IOW(‘M’, 6, struct erase_info_user)#define MEMGETREGIONCOUNT _IOR(‘M’, 7, int)#define MEMGETREGIONINFO _IOWR(‘M’, 8, struct region_info_user)#define MEMSETOOBSEL _IOW(‘M’, 9, struct nand_oobinfo)#define MEMGETOOBSEL _IOR(‘M’, 10, struct nand_oobinfo)#define MEMGETBADBLOCK _IOW(‘M’, 11, __kernel_loff_t)#define MEMSETBADBLOCK _IOW(‘M’, 12, __kernel_loff_t)#define OTPSELECT _IOR(‘M’, 13, int)#define OTPGETREGIONCOUNT _IOW(‘M’, 14, int)#define OTPGETREGIONINFO _IOW(‘M’, 15, struct otp_info)#define OTPLOCK _IOR(‘M’, 16, struct otp_info)#define ECCGETLAYOUT _IOR(‘M’, 17, struct nand_ecclayout_user)#define ECCGETSTATS _IOR(‘M’, 18, struct mtd_ecc_stats)#define MTDFILEMODE _IO(‘M’, 19)#define MEMERASE64 _IOW(‘M’, 20, struct erase_info_user64)#define MEMWRITEOOB64 _IOWR(‘M’, 21, struct mtd_oob_buf64)#define MEMREADOOB64 _IOWR(‘M’, 22, struct mtd_oob_buf64)#define MEMISLOCKED _IOR(‘M’, 23, struct erase_info_user)
打开设备
这里需要注意的是，打开的设备结点是/dev/mtd?，而不是/dec/mtdblock?，原因可以参考：
，其中介绍了mtd与mtdblock的区别。
, O_SYNC | O_RDWR);
获取设备信息
#include <linux/types.h>
旅行要学会随遇而安，淡然一点，走走停停，
