如果不考虑器本身存在的泄露电阻影响，可以认为是一个纯电容负载。当电容器两端接在交流电压上，在电压由零增至最大时，对电容器充电，有一充电电流。在电压由最大值降低至零时，电容器放电，有一放电电流。
如右图所示。由于充电和放电在电路中形成了电流。但是电容器存储电荷的能力并不是无限制的，积有了电荷或积满了电荷时，就对电流表现有样一种抗拒作用，这种抗拒作用称为电容电抗，简称容抗。用符号Xc表示，单位是欧姆。
从实验得知：电容器的电容C越大，频率f越高，则其容抗Xc就越小。他们之间的关系为：
上述公式中：π=3.14
- f：表示频率，单位赫兹（Hz）
- C：表示电容容量，单位法（F）
由上式可见：当电容C一定时，容抗Xc与频率成正比，即电容元件具有通高频阻低频特性。当f=0时，XC=∞（无限大）。即直流电通不过电容器，可视为开路。
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如果不考虑器本身存在的泄露电阻影响，可以认为是一个纯电容负载。当电容器两端接在交流电压上，在电压由零增至最大时，对电容器充电，有一充电电流。在电压由最大值降低至零时，电容器放电，有一放电电流。
如右图所示。由于充电和放电在电路中形成了电流。但是电容器存储电荷的能力并不是无限制的，积有了电荷或积满了电荷时，就对电流表现有样一种抗拒作用，这种抗拒作用称为电容电抗，简称容抗。用符号Xc表示，单位是欧姆。
从实验得知：电容器的电容C越大，频率f越高，则其容抗Xc就越小。他们之间的关系为：
上述公式中：π=3.14
- f：表示频率，单位赫兹（Hz）
- C：表示电容容量，单位法（F）
由上式可见：当电容C一定时，容抗Xc与频率成正比，即电容元件具有通高频阻低频特性。当f=0时，XC=∞（无限大）。即直流电通不过电容器，可视为开路。
