一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）、电阻、和连接导线的电路。
一、集成电路中的特点
与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：
1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致；
2. 集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十
pF。电感目前不能集成；
3. 元器件性能参数的绝对误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；
4. 纵向NPN管
β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的
β值很小，但其PN结的耐压高。
二、集成电路的设计特点
由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。
1. 在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；
2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；
3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路, 一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）、电阻、和连接导线的电路。
一、集成电路中的特点
与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：
1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致；
2. 集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十
pF。电感目前不能集成；
3. 元器件性能参数的绝对误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；
4. 纵向NPN管
β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的
β值很小，但其PN结的耐压高。
二、集成电路的设计特点
由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。
1. 在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；
2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；
3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路
集成电路的特点
