载流子在运动过程中，当载流子和空穴载流子相碰后两者都将消失，这种现象称为复合。
在任何情况下，半导体中随时都存在载流子的“产生”和“复合”。当在平衡情况下（呈中性时），半导体中的载流子浓度实际上“产生”和“复合”保持着动态的平衡。
在半导体时，经常会碰到电压的温度档量VT，这个量如何理解？
在半导体中，载流子的扩散和迁移都属统计热力学现象，只是反映了载流子伴随热运动的两种不同运动形式，所以扩散常数D和迁移率μ有关。两者之间的关系由爱因斯坦方程表示
式中Dp、Dn分别是空穴和电子载流子的扩散常数，μp、μn是空穴和电子的迁移率，VT是电压的温度档量（热电势）。
,载流子在运动过程中，当载流子和空穴载流子相碰后两者都将消失，这种现象称为复合。
在任何情况下，半导体中随时都存在载流子的“产生”和“复合”。当在平衡情况下（呈中性时），半导体中的载流子浓度实际上“产生”和“复合”保持着动态的平衡。
在半导体时，经常会碰到电压的温度档量VT，这个量如何理解？
在半导体中，载流子的扩散和迁移都属统计热力学现象，只是反映了载流子伴随热运动的两种不同运动形式，所以扩散常数D和迁移率μ有关。两者之间的关系由爱因斯坦方程表示
式中Dp、Dn分别是空穴和电子载流子的扩散常数，μp、μn是空穴和电子的迁移率，VT是电压的温度档量（热电势）。
