1.一次编程型只读存储器（PROM) ,
| 图1 熔断丝构成的 PROM基本存储单元 |
图2 PROM的阵列图 |
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1.一次编程型只读存储器（PROM)
我们已经知道ROM是一个“与”、“或”、逻辑阵列结构，当ROM制造完毕，用户不能改变其已经存储的内容。而PROM则不同，制造这种器件时，使存储阵列（“或”阵列）的所有存储单元的内容全为1（或0），用户根据自己的需要可以对所有的存储单元进行一次性改写。
图1是熔断丝结构的PROM基本存储单元示意图。出厂时所有的基本存储单元为1，即存储阵列中的熔丝都是通的。若用户通过大电流将当熔丝烧断，则该基本存储单元改写成为0。PROM的熔丝烧断不能再接上，因而只能编程一次，故称为一次编程型只读存储器。
| 图1 熔断丝构成的 PROM基本存储单元 |
图2 PROM的阵列图 |
为了表明PLD存储内容情况，常常用阵列图表示。图2所示的是PROM阵列图。它由一个固定的“与”阵列（地址译码器）和一个可编程的“或”阵列（存储阵列）构成。同ROM相比，二者差别在于“或”阵列是否能用户编程。图中黑点表示固定连接，叉点表示编程点。为了表示的方便，常常把PROM不可编程的“或”阵列（地址译码器）表示成象ROM那样，用一方框示出。
| 图3 用PROM构成阶梯波发生器 | 图4 阶梯波 |
| 图5 PROM编程阵列图 |
同ROM一样，利用PROM可以实现任何组合逻辑函数。二者区别在于前者由制造器件时确定，后者可以由用户一次性编程确定。PROM广泛应用于波形转换、字符集组建等。如图3，利用PROM构成的阶梯波信号发生器，输出电压
v
O的波形由PROM存储内容决定。PROM的四个输出端控制反相比例运算的运放输入端的四个开关（实际中可可由
D/A转换器实现，见第11章）。当
D=1时，开关接基准电压-
V
R；当
D=0时，开关接“地”。若要产生如图4所示的周期阶梯波信号，则PROM的编程表如下表所示。PROM的编程阵列图如图6所示。
图6中PROM包含了一个4/16线固定的“与”阵列地址译码器及一个16字×4位的可编程“或”存储阵列。
2.可改写型只读存储器（EPROM）
| 图7 EPROM2716管脚排列及功能说明 |
PROM只能一次编程，而可改写型只读存储器可多次擦除并重新写入新内容。最为典型的是紫外线擦除，在EPROM器件外壳上有透明的石英窗口，用紫外线（或X射线）照射，来完成擦除操作。
EPROM2716是一种常见的容量为2K（2048×8Bit）的可改写型只读存储器。图7是其外引线排列和功能说明。编程时，
V
PP接25V，片选信号端 接高电平，在编程控制端PD/PGM加脉宽为50ms的正脉冲。工作使用中，
V
PP与
V
CC一起接5V电源，PD/PGM与 连接一起作为片选信号，当出现低电平0时便选中该片，可从该片读取数据。
在实际设计的工业控制机等应用中,常常是RAM和EPROM（往往固化系统程序）一起使用，完成信息处理任务。如图8，采用1片EPROM2716和3片RAM6116将字数扩展8K存储器的接线图，图中4个芯片由2/4线译码器低电平有效输出端选择，各芯片所占据的地址范围和对应单元号见表2。 端、I/O（数据）端、
A
10～
A
0地址输入端都对应并联在一起。
| 图8 由1片EPROM2716和4片RAM6116组成的64K存储器 |
表2 各芯片所占据的地址范围和对应单元号
3.电擦除型只读存储器（EEPROM）
EEPROM是在EPROM基础上发展而来的一种可以实现快速擦除只读存储器。它克服了EPROM对照射时间和照s度的技术要求及擦除的速度也比较慢的缺陷，所以这种擦除方式操作起来十分方便。EEPROM的内部“与”阵列和“或”阵列和EPROM相似，只是写入方式不同。
