双极型半导体在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若工作在放大状态，发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管为例，当它导通时三个电极上的电流必然满足节点电流定律，即流入三极管的基极电流
I
B和集电极电流
I
C等于流出三极管的发射极电流
I
E，如式1。
I
E
＝ IC＋IB （1）
下面用载流子在三极管内部的运动规律来说明上述电流关系，见图1。
（1）发射极电流IE的形成
发射结加正偏时，从发射区将有大量的多数载流子（）不断向基区扩散，并不断从补充进电子，形成了发射极电流IE。与此同时，从基区向发射区也有多数载流子（空穴）的扩散运动，但其数量小，形成的电流可以忽略不计。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
| (a)载流子运动 (b)电流分配 |
| 图1 双极型三极管的电流传输关系 |
（2）基极电流IB的形成
进入基区的电子流将有少数的电子不断与基区中的空穴复合。因基区中的空穴浓度低，被复合的空穴自然很少。复合掉的空穴将由电源不断的予以补充，它基本上等于基极电流IB。
（3）集电极电流IC的形成
进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到集电结的边缘，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成电流ICE，它基本上等于集电极电流IC。
另外，因集电结反偏，在内电场的作用下，集电区的少子（空穴）与基区的少子（电子）将发生漂移运动，形成电流ICBO，并称为集电极-基极反向饱和电流。由此可得
IC = ICE ＋ ICBO
ICBO是集电极电流和基极电流的一小部分，它受温度影响较大，而与外加电压的关系不大。
由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。
, 双极型半导体在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若工作在放大状态，发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管为例，当它导通时三个电极上的电流必然满足节点电流定律，即流入三极管的基极电流
I
B和集电极电流
I
C等于流出三极管的发射极电流
I
E，如式1。
I
E
＝ IC＋IB （1）
下面用载流子在三极管内部的运动规律来说明上述电流关系，见图1。
（1）发射极电流IE的形成
发射结加正偏时，从发射区将有大量的多数载流子（）不断向基区扩散，并不断从补充进电子，形成了发射极电流IE。与此同时，从基区向发射区也有多数载流子（空穴）的扩散运动，但其数量小，形成的电流可以忽略不计。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
| (a)载流子运动 (b)电流分配 |
| 图1 双极型三极管的电流传输关系 |
（2）基极电流IB的形成
进入基区的电子流将有少数的电子不断与基区中的空穴复合。因基区中的空穴浓度低，被复合的空穴自然很少。复合掉的空穴将由电源不断的予以补充，它基本上等于基极电流IB。
（3）集电极电流IC的形成
进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到集电结的边缘，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成电流ICE，它基本上等于集电极电流IC。
另外，因集电结反偏，在内电场的作用下，集电区的少子（空穴）与基区的少子（电子）将发生漂移运动，形成电流ICBO，并称为集电极-基极反向饱和电流。由此可得
IC = ICE ＋ ICBO
ICBO是集电极电流和基极电流的一小部分，它受温度影响较大，而与外加电压的关系不大。
由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。
