编程单元：PLD中用来存放数据的基本单元
1、浮栅编程技术
用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM，即已写入的内容可以擦去，也可以重新写入新的内容。
（一）叠栅型（SIMOS）存储单元
浮栅上的电荷无放电通路，没法泄漏。
用紫外线照射芯片上的玻璃窗，则形成光电电流，把栅极带回到多晶硅衬底，SIMOS管恢复到初始的导通状态。
2、闪速型（Flash）存储单元
闪速存储单元又称为快擦快写存储单元。下图是闪速存储单元剖面图。 闪速存储单元去掉了隧道型存储单元的选择管，它不像E2PROM那样一次只能擦除一个字，而是可以用一个信号，在几毫秒内擦除一大区段。
因此，闪速存储单元比隧道型存储单元的芯片结构更简单、更有效，使用闪速存储单元制成的PLD器件密度更高。
3、六管静态存储单元
闪速存储单元的可再编程能力约为10万次左右，但还是不及SRAM那样有无限制的再编程能力，以SRAM为存储单元的现场可编程门阵列（FPGA）可以实现无限次从一种运行逻辑转换到另一种运行逻辑的功能。
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编程单元：PLD中用来存放数据的基本单元
1、浮栅编程技术
用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM，即已写入的内容可以擦去，也可以重新写入新的内容。
（一）叠栅型（SIMOS）存储单元
浮栅上的电荷无放电通路，没法泄漏。
用紫外线照射芯片上的玻璃窗，则形成光电电流，把栅极带回到多晶硅衬底，SIMOS管恢复到初始的导通状态。
2、闪速型（Flash）存储单元
闪速存储单元又称为快擦快写存储单元。下图是闪速存储单元剖面图。 闪速存储单元去掉了隧道型存储单元的选择管，它不像E2PROM那样一次只能擦除一个字，而是可以用一个信号，在几毫秒内擦除一大区段。
因此，闪速存储单元比隧道型存储单元的芯片结构更简单、更有效，使用闪速存储单元制成的PLD器件密度更高。
3、六管静态存储单元
闪速存储单元的可再编程能力约为10万次左右，但还是不及SRAM那样有无限制的再编程能力，以SRAM为存储单元的现场可编程门阵列（FPGA）可以实现无限次从一种运行逻辑转换到另一种运行逻辑的功能。
