为了保证 CPU 在需要时从已知的起点和状态开始工作，安排了复位功能。 当复位引脚RST/VPD出现两个机器周期高电平时，复位 。
参考复位电路如下：
复位后， P0 ~ P3 输出高电平； SP 寄存器为 07H ；其它寄存器全部清 0 ；不影响 RAM 状态。 复位后片内各寄存器的状态如下（ X 为不确定）：
PC 0000H ACC 00H
B 00H PSW 00H
SP 07H DPTR 0000H
P0 ～ P3 FFH IP XXX00000B
IE 0XX00000B TMOD 00H
TCON 00H THO 00H
TLO 00H TH1 00H
TL1 00H SCON 00H
SBUF 不确定
PCON 0XXXXXXXB(HMOS)0XXX0000B(CHMOS)
复位不影响内部 RAM 中的数据。复位后， PC=0000 指向程序存储器 0000H 地址单元，使 CPU 从首地址 0000H 单元开始重新执行程序。所以单片机系统在运行出错或进入死循环时，可按复位健重新启动。
RST/Vpp 端的外部复位电路有两种工作方式：上电自动复位和按健手动复位。如图所示。上电复位是利用 RC 充电来实现的。利用 RC 微分电路产生正脉冲。参数选取应保证复位高电平持续时间大于两个机器周期（图中参数适合 6MHz 晶振）。开关 S1 为手动复位，按下 S1 时合上开关， RST 得到高电平，松手后 CPU 完成复位，并从 0000H 开始执行程序。
, 为了保证 CPU 在需要时从已知的起点和状态开始工作，安排了复位功能。 当复位引脚RST/VPD出现两个机器周期高电平时，复位 。
参考复位电路如下：
复位后， P0 ~ P3 输出高电平； SP 寄存器为 07H ；其它寄存器全部清 0 ；不影响 RAM 状态。 复位后片内各寄存器的状态如下（ X 为不确定）：
PC 0000H ACC 00H
B 00H PSW 00H
SP 07H DPTR 0000H
P0 ～ P3 FFH IP XXX00000B
IE 0XX00000B TMOD 00H
TCON 00H THO 00H
TLO 00H TH1 00H
TL1 00H SCON 00H
SBUF 不确定
PCON 0XXXXXXXB(HMOS)0XXX0000B(CHMOS)
复位不影响内部 RAM 中的数据。复位后， PC=0000 指向程序存储器 0000H 地址单元，使 CPU 从首地址 0000H 单元开始重新执行程序。所以单片机系统在运行出错或进入死循环时，可按复位健重新启动。
RST/Vpp 端的外部复位电路有两种工作方式：上电自动复位和按健手动复位。如图所示。上电复位是利用 RC 充电来实现的。利用 RC 微分电路产生正脉冲。参数选取应保证复位高电平持续时间大于两个机器周期（图中参数适合 6MHz 晶振）。开关 S1 为手动复位，按下 S1 时合上开关， RST 得到高电平，松手后 CPU 完成复位，并从 0000H 开始执行程序。
