高压能产生功率非常大的谐波，对自身与其它设备干扰性较强。其干扰传播途径与一般电磁干扰途径是一致的，主要分电磁辐射、传导和感应耦合[2]。其具体表现为：（1）对周围的、设备产生电磁辐射。高压变频器的逆变桥采用PWM技术，当根据给定频率和幅值指令产生预期的和可重复的开关模式时，其输出的电压和电流的功率频谱是离散的，并且带有与开关频率相应的高次谐波群。高载波频率和场控开关器件的高速切换（du/dt可达1kV/us以上）所引起的辐射干扰问题相当突出。
（2）强电磁干扰环境中的变频器电路产生感应耦合，感应出干扰电压或电流。当回路1对回路2造成磁场耦合干扰时，在回路2上形成的串联干扰电压UN为
UN=jωBAcosθ (1)
式中，ω — 干扰信号的角频率；
B—干扰源回路1形成的磁场连接回路2处的磁通密度；
A—为回路2感受磁场感应的磁通的闭合面积；
θ — B和A两个适量的夹角。
电磁耦合干扰主要由两类组成：一是恶劣电磁环境中的金属导线回路产生非常高的共模电压；二是所测量的电信号本省含有丰富的噪声。当变频器的信号传输线路和变频器的功率逆变器件的物理距离比较近时,逆变器件的高次谐波信号将通过感应的方式耦合到信号中去。
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高压能产生功率非常大的谐波，对自身与其它设备干扰性较强。其干扰传播途径与一般电磁干扰途径是一致的，主要分电磁辐射、传导和感应耦合[2]。其具体表现为：（1）对周围的、设备产生电磁辐射。高压变频器的逆变桥采用PWM技术，当根据给定频率和幅值指令产生预期的和可重复的开关模式时，其输出的电压和电流的功率频谱是离散的，并且带有与开关频率相应的高次谐波群。高载波频率和场控开关器件的高速切换（du/dt可达1kV/us以上）所引起的辐射干扰问题相当突出。
（2）强电磁干扰环境中的变频器电路产生感应耦合，感应出干扰电压或电流。当回路1对回路2造成磁场耦合干扰时，在回路2上形成的串联干扰电压UN为
UN=jωBAcosθ (1)
式中，ω — 干扰信号的角频率；
B—干扰源回路1形成的磁场连接回路2处的磁通密度；
A—为回路2感受磁场感应的磁通的闭合面积；
θ — B和A两个适量的夹角。
电磁耦合干扰主要由两类组成：一是恶劣电磁环境中的金属导线回路产生非常高的共模电压；二是所测量的电信号本省含有丰富的噪声。当变频器的信号传输线路和变频器的功率逆变器件的物理距离比较近时,逆变器件的高次谐波信号将通过感应的方式耦合到信号中去。
