温度对晶体管参数的影响

几乎所有的晶体管参数都与温度有关，因此不空忽视。温度对下列的3个参数影响最大。

1、对β的影响

晶体管的β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值增大0.5%～1%，其结果是在相同的I_{B情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。}

2、对反向饱和电流I_CEO的影响

I_{CEO是少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以温度对硅管的ICEO影响不大。}

3、对发射结电压U_CE的影响

和的正向特性一样，温度上升1℃，U_{CE将下降2～2.5mV。}

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，i_{C也将增大，UCE将下降，这对晶体管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。}

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几乎所有的晶体管参数都与温度有关，因此不空忽视。温度对下列的3个参数影响最大。

1、对β的影响

晶体管的β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值增大0.5%～1%，其结果是在相同的I_{B情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。}

2、对反向饱和电流I_CEO的影响

I_{CEO是少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以温度对硅管的ICEO影响不大。}

3、对发射结电压U_CE的影响

和的正向特性一样，温度上升1℃，U_{CE将下降2～2.5mV。}

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，i_{C也将增大，UCE将下降，这对晶体管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。}