基本共射电路晶体管内部载流子的运动情况

基本的共射放大电路晶体管内部载流子运动情况示意图如图1所示。图1中载流子的运动规律可分为以下几个过程。

（1）发射区向基区发射的过程

发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，是发射极电流I_{E的主要组成部分。基区空穴向发射区的扩散形成空穴电流IEP 。由于两者浓度相差悬殊，所以发射极电流IE为主要电子电流，发射区所发射的电子由VCC的负极来补充。}

（2）电子在基区中的扩散与复合的过程

进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流I_{BN，多数扩散到集电结。由于基区掺杂的浓度很低且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，所以基极电流IB也很小，大量的电子能扩散到集电结的边缘。}

（3）集电结收集电子的过程

反向偏置的集电结阻碍了集电区的多子——自由电子向基区的扩散，但扩散到集电结边缘的电子在集电结电场的作用下越过集电结，到达集电区，在集电结电源V_{CC的作用下形成集电极电流IC。}

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基本的共射放大电路晶体管内部载流子运动情况示意图如图1所示。图1中载流子的运动规律可分为以下几个过程。

（1）发射区向基区发射的过程

发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，是发射极电流I_{E的主要组成部分。基区空穴向发射区的扩散形成空穴电流IEP 。由于两者浓度相差悬殊，所以发射极电流IE为主要电子电流，发射区所发射的电子由VCC的负极来补充。}

（2）电子在基区中的扩散与复合的过程

进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流I_{BN，多数扩散到集电结。由于基区掺杂的浓度很低且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，所以基极电流IB也很小，大量的电子能扩散到集电结的边缘。}

（3）集电结收集电子的过程

反向偏置的集电结阻碍了集电区的多子——自由电子向基区的扩散，但扩散到集电结边缘的电子在集电结电场的作用下越过集电结，到达集电区，在集电结电源V_{CC的作用下形成集电极电流IC。}