BJT的特性曲线

1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例）

i_{B=f (vBE)½ vCE=常数}

(1) 当v_{CE=0V时，相当于C和E短接，表现为PN结的正向伏安特性曲线。}

(2) 当v_{CE≥1V时， vCB= vCE – vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。}

(3) 输入特性曲线的三个部分

①死区

  死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V

②非线性区

③线性区

  I_{B在很大范围内变化，VBE基本不变（恒压）。VBE值：硅管约0.7V，锗管约0.2V。}

2. 输出特性曲线（以共射极放大电路为例）

i_{C=f (vCE)½ iB=常数}

输出特性曲线的三个区域

饱和区：i_{C明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。}

放大区：i_{C平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。}

截止区：i_{C接近零的区域，即iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏或正向电压小于死区电压。}

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1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例）

i_{B=f (vBE)½ vCE=常数}

(1) 当v_{CE=0V时，相当于C和E短接，表现为PN结的正向伏安特性曲线。}

(2) 当v_{CE≥1V时， vCB= vCE – vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。}

(3) 输入特性曲线的三个部分

①死区

  死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V

②非线性区

③线性区

  I_{B在很大范围内变化，VBE基本不变（恒压）。VBE值：硅管约0.7V，锗管约0.2V。}

2. 输出特性曲线（以共射极放大电路为例）

i_{C=f (vCE)½ iB=常数}

输出特性曲线的三个区域

饱和区：i_{C明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。}

放大区：i_{C平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。}

截止区：i_{C接近零的区域，即iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏或正向电压小于死区电压。}