半导体二极管的伏安特性曲线

  半导体的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。

1. 正向特性
    当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：
    当0＜V＜V_th时，正向电流为零，V_th称为死区电压或开启电压。
    当V＞V_th时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
    硅二极管的死区电压V_th＝0.5 V左右，
    锗二极管的死区电压V_th＝0.1 V左右。
2. 反向特性
    当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：  
    当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流I_S。
    当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。
    在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|V_BR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若V_BR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

,  半导体的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。

1. 正向特性
    当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：
    当0＜V＜V_th时，正向电流为零，V_th称为死区电压或开启电压。
    当V＞V_th时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
    硅二极管的死区电压V_th＝0.5 V左右，
    锗二极管的死区电压V_th＝0.1 V左右。
2. 反向特性
    当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：  
    当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流I_S。
    当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。
    在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|V_BR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若V_BR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。