PN结的电容效应——扩散电容

扩散C_D

PN结正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的或N区的空穴就要相对减小，这样，当外加电压变化时，有载流子的向PN结“充入”和“放出”。，PN结的扩散电容C_{D描述了积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化的电容效应。}

C_{D是非线性电容，PN结正偏时，CD较大，反偏时载流子数目很少，因此反偏时扩散电容数值很小。一般可以忽略。}

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扩散C_D

PN结正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的或N区的空穴就要相对减小，这样，当外加电压变化时，有载流子的向PN结“充入”和“放出”。，PN结的扩散电容C_{D描述了积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化的电容效应。}

C_{D是非线性电容，PN结正偏时，CD较大，反偏时载流子数目很少，因此反偏时扩散电容数值很小。一般可以忽略。}