CMOS集成电路及其性能特点

金属—氧化物—半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。

CMOS集成电路的性能特点

·  微直流功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。 

·  高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电压以上。 

·  宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。 

·  高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的 

·  “1”为VDD，逻辑“0”为VSS。 

·  高输入阻抗—CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。 

·  高扇出能力—CMOS电路的扇出能力大于50。 

·  低输入—CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。 

·  宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 – 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。 

·  所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。

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金属—氧化物—半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。

CMOS集成电路的性能特点

·  微直流功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。 

·  高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电压以上。 

·  宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。 

·  高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的 

·  “1”为VDD，逻辑“0”为VSS。 

·  高输入阻抗—CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。 

·  高扇出能力—CMOS电路的扇出能力大于50。 

·  低输入—CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。 

·  宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 – 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。 

·  所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。