反向击穿电压表示电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图1所示。
图1 三极管击穿电压的测试电路
1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。
2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图2。
图2 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
