晶体管的结构和分类

    晶体管由两个PN结构成,分成三层,按照P型和N型排列的顺序不同,可分为NPN型和PNP型两类,结构示意图和电路符号如下图所示。根据所使用的材料不同,晶体管又可分为NPN型锗管和NPN型硅管,PNP型锗管和PNP型硅管。
    由下图可知,两类晶体管都分成基区、发射区、集电区,分别引出的电极称为基极(B)、发射极(E)、集电极(C)。基区和发射区之间的结称为发射结;基区和集电区之间的结称为集电结。NPN型和PNP型符号的区别是发射极的箭头方向不同。
    晶体管内部结构上的特点是:发射区杂质浓度最高,即多子浓度最高,体积较大;基区很薄且杂质浓度极低;集电区体积最大,杂质浓度较发射区低。这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。
   

晶体管的结构和分类

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