雪崩效应,谁知道“等离子体的雪崩效应”是什么过程？

雪崩效应,谁知道“等离子体的雪崩效应”是什么过程？详细介绍

本文目录一览： 什么是雪崩效应？

雪崩效应就是一种不稳定的平衡状态也是加密算法的一种特征，它指明文或密钥的少量变化会引起密文的很大变化，就像雪崩前，山上看上去很平静，但是只要有一点问题，就会造成一片大崩溃。 可以用在很多场合对于Hash码，雪崩效应是指少量消息位的变化会引起信息摘要的许多位变化。
雪崩效应就是一种不稳定的平衡状态也是加密算法的一种特征，它指明文或密钥的少量变化会引起密文的很大变化，就像雪崩前，山上看上去很平静，但是只要有一点问题，就会造成一片大崩溃。 可以用在很多场合对于Hash码，雪崩效应是指少量消息位的变化会引起信息摘要的许多位变化。
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职场上的雪崩效应

记得电视剧《归去来》里有一句经典台词，说是“雪崩发生时，没有一片雪花会认为是自己的责任。”这在职场上，是非常普遍存在的现象。我暂且就称它为“职场上的雪崩效应。”
职场上的雪崩效应，尤其适应在新入职的关键岗位人员。大家都知道，对于任何一个职场，任何一个新入职的人员来说，都会有一种陌生感，或者是一种恐惧感。新人就是在综合作用的效果下开始适应，并投入工作，直至建立感情，爱上岗位爱上公司。
但是，对于任何一个新人，职场上总会有人去“欺负他”，这也可以说是“老兵欺负新兵”，“多年媳妇儿熬成婆”。当职场新人接受到来自四面八方的“欺负”而产生的积攒在心里的“怨气”越来越大，大于建立起来的新鲜感或者激情的时候，情感天平就会倾斜，新人就会容易离职。这就是职场上新人入职过程中的“雪崩效应”。
当新人离职出现时，很多欺负过他的老兵会认识不到或是干脆不承认，即使承认了，也顶多会说“我只是没注意而已，谁让他那么敏感到玻璃心呢”，掩盖了自己的行为正有可能是“倾斜天平的最后一根羽毛”。
而这种现象，在职场上，非常非常的普遍。普遍到，几乎每家公司都有。甚至是每天都在发生。
这就是“职场上的雪崩效应”，雪花根本感觉不到自己的责任！或者是不会承认！这是一个文化的问题！而文化问题，是大问题！

什么是雪崩效应

雪崩效应就是一种不稳定的平衡状态，就想雪崩前，山上看上去很平静，但是只要有一点问题，就会造成一片大崩溃。
可以用在很多场合
雪崩效应就是一种不稳定的平衡状态，就想雪崩前，山上看上去很平静，但是只要有一点问题，就会造成一片大崩溃。
可以用在很多场合
雪崩效应是指在加密过程中明文或者密钥的一点微小的变化会使得密文发生一个很大的变化。
不平衡的状态，超过了临界值后造成大范围的崩溃，往往起初只是一个小小的扰动，但是事态发展越来越严重，往往成几何级数增长．顶。复制三楼，支持！
不平衡的状态，超过了临界值后造成大范围的崩溃，往往起初只是一个小小的扰动，但是事态发展越来越严重，往往成几何级数增长．
雪崩效应是指一点微小的变化会使得密文发生一个很大的变化。
具体的说可以指很多对象，比如文件加密 经济 市场 甚至 二极管 都有诸如此类的现象

雪崩效应的词语解释

在登山时，决不能顺着山边扔石子儿。一是有击中别人的危险，一枚从数千英尺落下的小石头，破坏力相当惊人；二是有可能引发雪崩，一枚不起眼的小石子儿，顶多只能撞动几块差不多大小的石头；但只要有足够数量的石头翻滚起来，用不了多久，大块大块的岩石也会松动下滑。于是乎，这一颗小小的石子儿，就能引发一场雪崩。这个道理不言自明，好比就是水滴石穿、蝴蝶效应，说的都是一个小因素的变化，却往往有着无比强大的力量，以至于最后改变整体结构、产生意想不到的结果。现在，把这个原理适用于商业和技术领域，它同样能得到类似的效果—商业和技术本身具有一定的结构和体系，当人们适当地拆散其结构，并予以重新组合，便能释放出犹如雪崩般巨大的能量。雪崩把旧有的产业体系打得粉碎，甚至，有时候干脆让整个产业消失。在雪崩的巨大压力下，商业与技术之间固有的联系被彻底中断，不得不接受新的改造和整合，其最终将引爆一系列创新的革命，这就是“雪崩效应”。

什么是雪崩增益效应

在密码学中，雪崩增益效应指加密算法，尤其是块密码和加密散列函数，的一种理想属性。雪崩增益效应是指当输入发生最微小的改变时，也会导致输出的不可区分性改变输出中，输出中每个二进制位有50百分之的概率发生反转。雪崩增益效应就是一种不稳定的平衡状态也是加密算法的一种特征，指明文或密钥的少量变化会引起密文的很大变化，对于Hash码，雪崩增益效应是指少量消息位的变化会引起信息摘要的许多位变化。

谁知道“等离子体的雪崩效应”是什么过程？

雪崩效应：一个电子由强电场加速，获得很高能量，电子和空间中的中性粒子碰撞，由于电子能量很高，碰撞中性粒子会把中性粒子中的电子电离，这样就形成了2个电子，这2个电子在发生上述过程，就形成4个电子，4个电子在由强电场加速，碰撞形成8个，这样导致电子的数量以指数形式增长，就就是电子的雪崩效应。阴雨点的闪电，火花放电都是这种效应，这种效应的击穿方式叫流柱击穿。
一个带电粒子在电场的作用下被加速，获得的能量达到一定值后，通过与其它中性粒子碰撞，使其电离，获得更多的带电粒子，这些带电粒子同样会受电场的加速获得能量与更多的中性粒子碰撞，产生大量的的带电粒子，这些带电粒子的数量以指数方式增长，形成带电粒子的聚集而成为等离子体，这个过程就是雪崩效应。触发这个过程的最重要的一个因素是要有足够强的电场。

如何理解雪崩效应中“空穴”这一假想粒子与空间电荷区中原子内的电子发生碰撞？

雪崩效应中应该是没有用“空穴”来作为假想粒子去描述撞击其他的原子的。不需要用假想粒子来描述雪崩。比如刚开始是一个核外电子在物质内部运动撞击到一个原子上，将能量传递到另一个电子，让这个新电子脱离原子核束缚，这样拥有了两个电子。因为外加电压就是外加电场不断让势能转为电子动能，两个电子又拥有了足够撞击出另外两个原子核的核外电子的能量。就这样自由电子指数倍增加。而电子通过撞击原子核外电子来传递能量来使它逃逸成自由电子中的“撞击”其实不是真正的撞上去，而是在靠近原子的时候它与核内电子之间的电场力的相互排斥力达到的能量传递。从靠近到分开是一个动能转成势能，势能转成动能的过程。

什么是雪崩增益效应

英文名称：Avalanche Effect大多用于电子领域，具体的就不说了，楼上说的很多了，就是说像雪崩前，山上看上去很平静，但是只要有一点问题，就会造成一片大崩溃的情况啦~用来形容微值变化后引起很大增值或变化希望对你有帮助
半导体雪崩光电二极管
　　具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。
　　当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。
　　碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示
M＝1/[1-(V/VB)n]
式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。1965年，K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此，雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。
　　性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是绝对理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很广泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。一般将光电流中的均方噪声电流〈i戬〉表示为
〈i戬〉＝2qI0嚔2F(嚔)B
式中q为电子电荷,B为器件工作带宽，F(嚔)表示雪崩倍增过程所引起噪声的增加，称为过剩噪声因子。一般情况下,F随嚔的变化情况相当复杂。有时为简单起见，近似地将F表示为F＝嚔x,x称为过剩噪声指数。F或x是雪崩光电二极管的重要参数。
　　由于F大于1，并随嚔的增加而增加，因而只有当一个接收系统（包括探测器件即雪崩光电二极管、负载电阻和前置放大器）的噪声主要由负载电阻及放大器的热噪声所决定时，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系统的信噪比，从而使系统的探测性能获得改善；相反，当系统的噪声主要由光电流的噪声决定时，增加嚔就不再能使系统的性能改善。这里起主要作用的是过剩噪声因子F的大小。为获得较小的F值，应采用两种载流子离化能力相差大的材料，使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽层，并合理设计器件结构。
　　载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大，雪崩倍增过程所需的时间越长。因而，雪崩倍增过程要受到“增益-带宽积”的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下，与其他影响光电二极管响应速度的因素相比，这种限制往往不起主要作用，因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。
　　与一般的半导体光电二极管一样，雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。
　　与真空光电倍增管相比，雪崩光电二极管具有小型、不需要高压电源等优点，因而更适于实际应用；与一般的半导体光电二极管相比，雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点，特别当系统带宽比较大时，能使系统的探测性能获得大的改善。

什么是光子雪崩？

楼上的回答不对，光子雪崩应该是指稀土发光中的上转换发光机理的一种吧，这个可以去找点文献看看 ，我给的这个链接你可以把计算都抛开不看，结合图看看文字。
http://www.docin.com/p-724140667.html
在雪崩光电二极管的 pn 结上施加一个非常高 的反向偏压 , 使结区产生很强的电场 , 当光照射 pn 结时所激发的光生载流子进入结区后 , 在强电 场中会受到加速而获得足够的动能 , 在高速运动中 与晶格发生碰撞 , 使晶格中的原子发生电离 , 产生 新的电子空穴对 , 这个过程称为碰撞电离 。通过碰 撞电离产生的电子空穴对称为二次电子空穴对 。新 产生的电子空穴对在强电场下又被加速 , 获得足够 能量 , 再次与晶格碰撞 , 产生出新的电子空穴对 , 这个过程不断往复 , 使 pn 结内载流子迅速增加 , 电流也随之急剧增多 , 这种现象称为雪崩效应